Lawinenfotodiode

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Schematischer Querschnitt einer angestrahlten InP-InGaAs Fotodiode

Lawinenfotodioden (englisch avalanche photodiode, daher oft APD genannt) sind hochempfindliche und schnelle Fotodioden. Sie nutzen den Lawinen-Durchbruch (Avalanche-Effekt), der auch in Zener-Dioden verwendet wird.

Sie können als das Halbleiteräquivalent zum Photomultiplier betrachtet werden. Beim Anlegen einer hohen Sperrspannung nahe der Lawinen-Durchbruch-Spannung zeigen Lawinenfotodioden eine interne Verstärkung, die durch Stoßionisation in der Sperrschicht hervorgerufen wird.

Siehe auch: Avalanchediode

[Bearbeiten] Literatur

• S. M. Sze: Physics o Semiconductor Devices. 2. Auflage. John Wiley & Sons. 1981. ISBN 0-471-05661-8
• M. S. Tyagi: Introduction to Semiconductor Materials and Devices. John Wiley & Sons. 1991. ISBN 0-471-60560-3

[Bearbeiten] Weblink

• http://www.idquantique.com/news/files/photonik_ge.pdf