Hohe Performance, niedriger Leistungsverbrauch
PRAM (Quelle: Samsung)
Wie Samsung in einer Pressemitteilung zur „Samsung Mobile Solutions Forum“ in Taipeh bekannt gegeben hat, startet der Hersteller mit der Massenproduktion von „Phase Change Random Access Memory“, kurz PRAMs. Dabei handelt es sich um eine Speichertechnologie, die hohe Performance und niedrigen Leistungsverbrauch bieten soll.
In Zahlen soll PRAM eine Datenmenge von 5 MByte rund sieben Mal schneller löschen bzw. schreiben können als NOR-Flash. Auch der Leistungsverbrauch soll hier drastisch gesenkt werden. So soll die Akkulaufzeit eines Handys mit PRAM um über 20 Prozent höher sein, als bei der Verwendung von gewöhnlichen Speichertypen. (
cs)
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