TFA-Sensor

aus Wikipedia, der freien Enzyklopädie

TFA-Sensoren sind auf CMOS-ASICs basierende elektrische Schaltkreise, die als optische Sensoren, z. B. Bildgeber eingesetzt werden können. Der Name leitet sich her von dem englischen Begriff "thin film on asic". Durch Aufdampfen einer Dünnschicht aus amorphem Silizium wird auf einem zuvor hergestellten ASIC eine optisch aktive Mehrfachschicht erteugt, welche eine Photodiode darstellt. Hierdruch werden die ASICs äußerst lichtempfindlich. Die TFA-Technologie ermöglicht eine besonders kostengünstige Fertigung leistungsfähiger Bildsensoren und ist gleichzeitig gut geeignet für die Integration von Pixelelektronik zur Realisierung intelligenter Bildsensoren. Sie geht zurück auf die Erfindung der Multispektralphotodiode der Universität Siegen und die Weiterentwicklungen durch die ehemalige Firma Silicon Vision.

[Bearbeiten] Auszeichnungen

Für die Erfindung der TFA-Sensoren wurde Prof.Dr.M.Böhm der Universität Siegen im Jahre 1996 mit dem Phillip Morris Preis ausgezeichnet.

[Bearbeiten] Vorteile und Nachteile

Im Gegensatz zu den herkömmlichen Technologien, wie z. B. CCDs, ermöglicht die TFA-Technologie eine 3D-Integration von Photodetektoren sowie die Bildvorverarbeitung im ASIC. Dies ermöglicht - bei gleicher Funktionalität - eine größere Pixelzahl, da nur ein Pixel für alle Farben benötigt wird, allerdings müssen die 3 Farben nacheinander ausgelesen werden, was die benötigte Belichtungszeit erhöht.

Die als TFA-Schicht verwendeten Materialien lassen ein wesentlich höhere Dynamik zu, als z.B. bei CCDs.

Durch die Verwendung zweier Prozessschritte und Prozesstechnologien können die beiden Komponenten leichter unabhängig voneinander optimiert werden, da in der optisch aktiven TFA-Schicht gezielt auf optische Randbedingungen hinoptmimiert werden kann.