Rückwärtige Belichtung (englisch: back side illumination, BSI) ist eine Konstruktionsvariante im Aufbau von Halbleiter-Bildsensoren.
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Das Licht trifft nach Passieren der Kameraoptik den lichtempfindliche Siliziumkristall direkt und von hinten, während bei der Variante front side illumination das Licht erst den Bereich der Metallisierungschichten passiert, bevor es im Silizum elektrische Ladungen erzeugt.
Dadurch liegt ein Teil der aktiven Fläche "im Schatten", der Sensor ist weniger empfindlich. Bei den ersten CMOS-Sensor war mehr Fläche durch die Verdrahtung abgedeckt als bei einem CCD, ein Wechsel der Belichtungsrichtung wirkungsvoller als beim empfindlicheren CCD.
Beide Varianten werden bei CMOS- und CCD-Sensoren angewandt. Während front side illumination bei handelsüblichen Digitalkameras verwendet wird, war bisher die back side illumination Spezialanwendungen wie der Astronomie insbesondere im Bereich des ultravioletten Lichtes vorbehalten, vergleiche Front- vs. Back-Illuminated. So befindet sich auf dem Hubble Space Telescope ein BSI-CCD für UV-Aufnahmen [1].
Halbleiterhersteller haben für 2009 den Start für die Massenfertigung von CMOS-back-side-illumination-Sensoren angekündigt.[2] Die Vorteile dieser Anordnung sollen für CMOS-Sensoren in einer verbesserten Bildqualität und einem höheren Anteil von des lichtaktiven Bereichs des Sensors liegen.[3]